
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.43053 | ¥19.43 |
| 10 | ¥15.944465 | ¥159.44 |
| 100 | ¥12.405536 | ¥1240.55 |
| 500 | ¥10.515633 | ¥5257.82 |
| 1000 | ¥8.566151 | ¥8566.15 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18.6 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24.5 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD18P06P G SP000443926
单位重量 330 mg
购物车
0SPD18P06PGBTMA1
型号:SPD18P06PGBTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.43053 |
| 10+: | ¥15.944465 |
| 100+: | ¥12.405536 |
| 500+: | ¥10.515633 |
| 1000+: | ¥8.566151 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.43