货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.293533 | ¥3880.60 |
6000 | ¥1.251833 | ¥7511.00 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 10.2 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 93 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 210 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 300 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 53.850 mg
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0SI8457DB-T1-E1
型号:SI8457DB-T1-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.293533 |
6000+: | ¥1.251833 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00