货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.946578 | ¥16.95 |
10 | ¥13.906163 | ¥139.06 |
100 | ¥10.819643 | ¥1081.96 |
500 | ¥9.17134 | ¥4585.67 |
1000 | ¥7.471074 | ¥7471.07 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18.6 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24.5 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD18P06P G SP000443926
单位重量 330 mg
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0SPD18P06PGBTMA1
型号:SPD18P06PGBTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.946578 |
10+: | ¥13.906163 |
100+: | ¥10.819643 |
500+: | ¥9.17134 |
1000+: | ¥7.471074 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.95