MUN5115DW1T1G
库存 ：8950
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.089006 | ￥3.09 |
| 10 | ￥2.520629 | ￥25.21 |
| 25 | ￥2.115352 | ￥52.88 |
| 100 | ￥1.032964 | ￥103.30 |
| 250 | ￥1.016653 | ￥254.16 |
| 500 | ￥0.861709 | ￥430.85 |
| 1000 | ￥0.598649 | ￥598.65 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
直流集电极 160
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 250 mW
直流电流增益（Max） 160 at 5 mA at 10 V
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 6.200 mg
MUN5115DW1T1G 同类别型号
注
MUN5115DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、MUN5115DW1T1G
数据手册PDF。
MUN5115DW1T1G
型号：MUN5115DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：8950 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.089006 |
| 10+： | ￥2.520629 |
| 25+： | ￥2.115352 |
| 100+： | ￥1.032964 |
| 250+： | ￥1.016653 |
| 500+： | ￥0.861709 |
| 1000+： | ￥0.598649 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.09