货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.279843 | ¥4.28 |
10 | ¥3.926813 | ¥39.27 |
30 | ¥3.85621 | ¥115.69 |
100 | ¥3.644399 | ¥364.44 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 43.3 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 69 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR1205TRPBF SP001560566
单位重量 330 mg
购物车
0IRFR1205TRPBF
型号:IRFR1205TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.279843 |
10+: | ¥3.926813 |
30+: | ¥3.85621 |
100+: | ¥3.644399 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.28