货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.5086 | ¥4525.80 |
6000 | ¥1.411336 | ¥8468.02 |
15000 | ¥1.313938 | ¥19709.07 |
30000 | ¥1.245826 | ¥37374.78 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E120BN
单位重量 5.577 g
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0RQ3E120BNTB
型号:RQ3E120BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.5086 |
6000+: | ¥1.411336 |
15000+: | ¥1.313938 |
30000+: | ¥1.245826 |
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