货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.575898 | ¥15.58 |
10 | ¥12.759776 | ¥127.60 |
100 | ¥9.926209 | ¥992.62 |
500 | ¥8.414226 | ¥4207.11 |
1000 | ¥6.854268 | ¥6854.27 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 43.3 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 69 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR1205TRPBF SP001560566
单位重量 330 mg
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0IRFR1205TRPBF
型号:IRFR1205TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.575898 |
10+: | ¥12.759776 |
100+: | ¥9.926209 |
500+: | ¥8.414226 |
1000+: | ¥6.854268 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.58