货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
4000 | ¥3.368386 | ¥13473.54 |
8000 | ¥3.19993 | ¥25599.44 |
12000 | ¥3.079657 | ¥36955.88 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 7.9 S
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 8.3 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7341TRPBF SP001554204
单位重量 540 mg
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0IRF7341TRPBF
型号:IRF7341TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥3.368386 |
8000+: | ¥3.19993 |
12000+: | ¥3.079657 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00