STH110N10F7-6
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- 制造商编号：
- STH110N10F7-6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
- 渠道：
- 国内现货digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
STH110N10F7-6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.5mOhm @ 55A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
72nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5117pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2PAK-6
封装/外壳
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
STH110N10F7-6 同类别型号
注
STH110N10F7-6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STH110N10F7-6
型号：STH110N10F7-6
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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