NTJD4105CT2G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 27 V, 10.5 V

漏极电流 630 mA, 775 mA

漏源电阻 290 mOhms, 220 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 920 mV, 830 mV

栅极电荷 1.3 nC, 2.2 nC

耗散功率 270 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 506 ns, 36 ns

正向跨导（Min） 2 S

上升时间 227 ns, 23 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 786 ns, 50 ns

典型接通延迟时间 83 ns, 13 ns

高度 0.9 mm

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 7.500 mg