PSMN040-200W,127
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- 制造商编号：
- PSMN040-200W,127
- 制造商：
- NXP(恩智浦)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PSMN040-200W,127
制造商
NXP(恩智浦)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
包装
Tube
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
40mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
183nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9530pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
PSMN040-200W,127 同类别型号
注
PSMN040-200W,127品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
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PSMN040-200W,127
型号：PSMN040-200W,127
品牌：NXP
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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