货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.984288 | ¥4.98 |
10 | ¥4.286488 | ¥42.86 |
100 | ¥2.978113 | ¥297.81 |
500 | ¥2.324921 | ¥1162.46 |
1000 | ¥1.889668 | ¥1889.67 |
制造商 Comchip Technology
商标 Comchip Technology
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 660 mA
漏源电阻 520 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20.3 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 5.8 ns
典型关闭延迟时间 32.7 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0CJ3139KDW-G
型号:CJ3139KDW-G
品牌:COMCHIP
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.984288 |
10+: | ¥4.286488 |
100+: | ¥2.978113 |
500+: | ¥2.324921 |
1000+: | ¥1.889668 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.98