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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.633979 | ¥4084.95 |
5000 | ¥1.547949 | ¥7739.74 |
12500 | ¥1.43334 | ¥17916.75 |
25000 | ¥1.419085 | ¥35477.13 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 450 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 21 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 12.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0DMP45H21DHE-13
型号:DMP45H21DHE-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.633979 |
5000+: | ¥1.547949 |
12500+: | ¥1.43334 |
25000+: | ¥1.419085 |
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