
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥57.509956 | ¥57.51 |
| 30 | ¥45.915725 | ¥1377.47 |
| 120 | ¥41.082534 | ¥4929.90 |
| 510 | ¥36.249402 | ¥18487.20 |
| 1020 | ¥32.624391 | ¥33276.88 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 380 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 68 ns
正向跨导(Min) 8.2 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH12N90P
型号:IXFH12N90P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥57.509956 |
| 30+: | ¥45.915725 |
| 120+: | ¥41.082534 |
| 510+: | ¥36.249402 |
| 1020+: | ¥32.624391 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥57.51