货期:(7~10天)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥14.058436 | ¥14058.44 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB065N10N3 G SP001232588
单位重量 4 g
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0IPB065N10N3GATMA1
型号:IPB065N10N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥14.058436 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00