STU6N65M2-S
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- 制造商编号：
- STU6N65M2-S
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- PTD HIGH VOLTAGE
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥6.280282 | ￥18840.85 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STU6N65M2-S
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
PTD HIGH VOLTAGE
包装
-
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.35Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
226pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STU6N65M2-S 同类别型号
注
STU6N65M2-S品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STU6N65M2-S
数据手册PDF。
STU6N65M2-S
型号：STU6N65M2-S
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥6.280282 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00