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起订量:10000
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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.703279 | ¥17032.79 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.42 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMN2050LFDB-13
型号:DMN2050LFDB-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥1.703279 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00