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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥64.278104 | ¥64.28 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 255 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R099CPA SP000597860
单位重量 6 g
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0IPW60R099CPAFKSA1
型号:IPW60R099CPAFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥64.278104 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥64.28