IPD30N06S223ATMA2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPD30N06S223ATMA2
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.432741 | ￥10.43 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N06S2-23 SP001061722
单位重量 330 mg
IPD30N06S223ATMA2 相关产品
IPD30N06S223ATMA2 同类别型号
注
IPD30N06S223ATMA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购IPD30N06S223ATMA2、查询IPD30N06S223ATMA2代理商；
IPD30N06S223ATMA2价格批发咨询客服；这里拥有
IPD30N06S223ATMA2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到IPD30N06S223ATMA2
替代型号
、IPD30N06S223ATMA2
数据手册PDF
。
IPD30N06S223ATMA2
型号：IPD30N06S223ATMA2
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.432741 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.43