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DMN2050LFDB-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2050LFDB-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
渠道:
digikey

库存 :19430

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 4.5 A

漏源电阻 45 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 12 nC

耗散功率 1.42 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

晶体管类型 2 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6.750 mg

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DMN2050LFDB-13

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型号:DMN2050LFDB-13

品牌:DIODES

供货:锐单

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