货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.349952 | ¥5874.88 |
5000 | ¥2.187862 | ¥10939.31 |
12500 | ¥2.106817 | ¥26335.21 |
25000 | ¥2.033437 | ¥50835.93 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 120 ns
正向跨导(Min) 11.6 S
上升时间 190 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQD12N20LTM_NL
单位重量 330 mg
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0FQD12N20LTM
型号:FQD12N20LTM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.349952 |
5000+: | ¥2.187862 |
12500+: | ¥2.106817 |
25000+: | ¥2.033437 |
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