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SI4931DY-T1-E3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4931DY-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs
渠道:
digikey

库存 :9049

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 21.29902 21.30
10 15.697046 156.97
30 14.660177 439.81
100 13.63771 1363.77
500 13.176878 6588.44

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 8.9 A

漏源电阻 18 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 52 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4931DY-E3

单位重量 750 mg

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SI4931DY-T1-E3

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型号:SI4931DY-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:9049 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥21.29902
10+: ¥15.697046
30+: ¥14.660177
100+: ¥13.63771
500+: ¥13.176878

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