FQA6N80_F109
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- 制造商编号：
- FQA6N80_F109
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
- 渠道：
- 国内现货digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQA6N80_F109
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
包装
Tube
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.95Ohm @ 3.15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
31nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
185W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
FQA6N80_F109 同类别型号
注
FQA6N80_F109品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
FQA6N80_F109
型号：FQA6N80_F109
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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