货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥3.726755 | ¥9316.89 |
5000 | ¥3.540406 | ¥17702.03 |
12500 | ¥3.407279 | ¥42590.99 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8.9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 52 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 155 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 230 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4931DY-GE3
单位重量 187 mg
购物车
0SI4931DY-T1-GE3
型号:SI4931DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.726755 |
5000+: | ¥3.540406 |
12500+: | ¥3.407279 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00