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CSD17313Q2T

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD17313Q2T
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 5A
渠道:
digikey

库存 :25108

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.645306 14.65
10 11.981377 119.81
100 9.318708 931.87

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 5 A

漏源电阻 32 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 10 V

栅源极阈值电压 900 mV

栅极电荷 2.1 nC

耗散功率 17 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 1.3 ns

正向跨导(Min) 16 S

上升时间 3.9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 4.2 ns

典型接通延迟时间 2.8 ns

外形参数

高度 0.75 mm

长度 2 mm

宽度 2 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8.700 mg

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CSD17313Q2T

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型号:CSD17313Q2T

品牌:TI

供货:锐单

库存:25108 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.645306
10+: ¥11.981377
100+: ¥9.318708

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