SI4931DY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4931DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：10971
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.204286 | ￥15.20 |
| 10 | ￥13.572607 | ￥135.73 |
| 100 | ￥10.57996 | ￥1058.00 |
| 500 | ￥8.739622 | ￥4369.81 |
| 1000 | ￥6.899779 | ￥6899.78 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8.9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 52 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 155 ns
正向跨导（Min） 26 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 230 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4931DY-GE3
单位重量 187 mg
SI4931DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4931DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI4931DY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4931DY-T1-GE3
型号：SI4931DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：10971 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.204286 |
| 10+： | ￥13.572607 |
| 100+： | ￥10.57996 |
| 500+： | ￥8.739622 |
| 1000+： | ￥6.899779 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.20