
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.42922 | ¥6.43 |
| 10 | ¥4.586177 | ¥45.86 |
| 100 | ¥2.310233 | ¥231.02 |
| 500 | ¥2.047064 | ¥1023.53 |
| 1000 | ¥1.59302 | ¥1593.02 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 11.7 nC
耗散功率 770 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 1.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.3 ns
典型接通延迟时间 1.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN3065LW-7
型号:DMN3065LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.42922 |
| 10+: | ¥4.586177 |
| 100+: | ¥2.310233 |
| 500+: | ¥2.047064 |
| 1000+: | ¥1.59302 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.43