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DMN3010LFG-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN3010LFG-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
渠道:
digikey

库存 :19377

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.457573 7.46
10 6.421097 64.21
100 4.46064 446.06
500 3.483066 1741.53
1000 2.831098 2831.10

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 30 A

漏源电阻 8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 37 nC

耗散功率 900 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10.7 ns

上升时间 19.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 31 ns

典型接通延迟时间 4.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

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DMN3010LFG-7

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型号:DMN3010LFG-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:19377 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥7.457573
10+: ¥6.421097
100+: ¥4.46064
500+: ¥3.483066
1000+: ¥2.831098

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