SI4162DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4162DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：29475
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.032866 | ￥12.03 |
| 10 | ￥10.586491 | ￥105.86 |
| 100 | ￥8.11793 | ￥811.79 |
| 500 | ￥6.417529 | ￥3208.76 |
| 1000 | ￥5.134022 | ￥5134.02 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 19.3 A
漏源电阻 7.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4162DY-GE3
单位重量 187 mg
SI4162DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4162DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI4162DY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4162DY-T1-GE3
型号：SI4162DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：29475 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.032866 |
| 10+： | ￥10.586491 |
| 100+： | ￥8.11793 |
| 500+： | ￥6.417529 |
| 1000+： | ￥5.134022 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.03