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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.6 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0BSS84V-7
型号:BSS84V-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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