货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.94939 | ¥7373.48 |
5000 | ¥2.801921 | ¥14009.61 |
12500 | ¥2.696585 | ¥33707.31 |
25000 | ¥2.633384 | ¥65834.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.98 A, 4.13 A
漏源电阻 33 mOhms, 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9 nC, 12.7 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 6.3 ns, 21 ns
正向跨导(Min) 11.8 S, 14 S
上升时间 3.3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 11.5 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns, 1.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 H-Bridge
单位重量 750 mg
购物车
0ZXMHC3F381N8TC
型号:ZXMHC3F381N8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.94939 |
5000+: | ¥2.801921 |
12500+: | ¥2.696585 |
25000+: | ¥2.633384 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00