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ZXMHC3F381N8TC

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMHC3F381N8TC
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
渠道:
digikey

库存 :130573

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 12.019042 12.02
10 10.736239 107.36
100 8.372881 837.29
500 6.916728 3458.36
1000 5.460575 5460.58

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 4 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4.98 A, 4.13 A

漏源电阻 33 mOhms, 55 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 9 nC, 12.7 nC

耗散功率 870 mW

通道模式 Enhancement

配置 Quad

下降时间 6.3 ns, 21 ns

正向跨导(Min) 11.8 S, 14 S

上升时间 3.3 ns, 3 ns

晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 11.5 ns, 30 ns

典型接通延迟时间 2.5 ns, 1.9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 H-Bridge

单位重量 750 mg

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型号:ZXMHC3F381N8TC

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:130573 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥12.019042
10+: ¥10.736239
100+: ¥8.372881
500+: ¥6.916728
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