货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥12.019042 | ¥12.02 |
10 | ¥10.736239 | ¥107.36 |
100 | ¥8.372881 | ¥837.29 |
500 | ¥6.916728 | ¥3458.36 |
1000 | ¥5.460575 | ¥5460.58 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.98 A, 4.13 A
漏源电阻 33 mOhms, 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9 nC, 12.7 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 6.3 ns, 21 ns
正向跨导(Min) 11.8 S, 14 S
上升时间 3.3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 11.5 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns, 1.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 H-Bridge
单位重量 750 mg
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0ZXMHC3F381N8TC
型号:ZXMHC3F381N8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥12.019042 |
10+: | ¥10.736239 |
100+: | ¥8.372881 |
500+: | ¥6.916728 |
1000+: | ¥5.460575 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.02