货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.29572 | ¥13.30 |
10 | ¥10.877166 | ¥108.77 |
100 | ¥8.459879 | ¥845.99 |
500 | ¥7.170826 | ¥3585.41 |
1000 | ¥5.841508 | ¥5841.51 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.8 A, 1.42 A
漏源电阻 250 mOhms, 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 5.7 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2 ns, 5.8 ns
正向跨导(Min) 2.3 S, 1.8 S
上升时间 1.4 ns, 2.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.9 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMHC6A07N8TC
型号:ZXMHC6A07N8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥13.29572 |
10+: | ¥10.877166 |
100+: | ¥8.459879 |
500+: | ¥7.170826 |
1000+: | ¥5.841508 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.30