EM6M1T2R
库存 ：15965
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.085922 | ￥12.09 |
| 10 | ￥7.526929 | ￥75.27 |
| 100 | ￥4.861907 | ￥486.19 |
| 500 | ￥3.712062 | ￥1856.03 |
| 1000 | ￥3.340765 | ￥3340.77 |
| 2000 | ￥3.027906 | ￥6055.81 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 100 mA, 200 mA
漏源电阻 8 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 EM6M1
单位重量 6 mg
EM6M1T2R 同类别型号
注
EM6M1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EM6M1T2R
数据手册PDF。
EM6M1T2R
型号：EM6M1T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：15965 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.085922 |
| 10+： | ￥7.526929 |
| 100+： | ￥4.861907 |
| 500+： | ￥3.712062 |
| 1000+： | ￥3.340765 |
| 2000+： | ￥3.027906 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.09