NTMFS4833NST1G
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- 制造商编号：
- NTMFS4833NST1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.228748 | ￥23.23 |
| 25 | ￥20.996599 | ￥524.91 |
| 50 | ￥19.729315 | ￥986.47 |
| 100 | ￥18.879659 | ￥1887.97 |
| 250 | ￥18.102007 | ￥4525.50 |
| 500 | ￥17.381959 | ￥8690.98 |
| 1000 | ￥16.5035 | ￥16503.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMFS4833NST1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SENSEFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A (Ta), 156A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.2mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
86nC @ 11.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5250pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW (Ta), 86.2W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SO-8FL
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
NTMFS4833NST1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NTMFS4833NST1G
数据手册PDF。
NTMFS4833NST1G
型号：NTMFS4833NST1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.228748 |
| 25+： | ￥20.996599 |
| 50+： | ￥19.729315 |
| 100+： | ￥18.879659 |
| 250+： | ￥18.102007 |
| 500+： | ￥17.381959 |
| 1000+： | ￥16.5035 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.23