搜索

SIRA58DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SIRA58DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.205107 14.21
10 12.725408 127.25
100 9.9199 991.99
500 8.194691 4097.35
1000 6.46948 6469.48

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 109 A

漏源电阻 2.65 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.4 V

栅极电荷 75 nC

耗散功率 56.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

上升时间 19 ns

典型关闭延迟时间 20 ns

典型接通延迟时间 10 ns

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

SIRA58DP-T1-GE3 相关产品

SIRA58DP-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIRA58DP-T1-GE3、查询SIRA58DP-T1-GE3代理商; SIRA58DP-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIRA58DP-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SIRA58DP-T1-GE3 替代型号 、SIRA58DP-T1-GE3 数据手册PDF

购物车

SIRA58DP-T1-GE3

锐单logo

型号:SIRA58DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.205107
10+: ¥12.725408
100+: ¥9.9199
500+: ¥8.194691
1000+: ¥6.46948

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥14.21