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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 970 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.5 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 52 mg
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0ZXMN3A01ZTA
型号:ZXMN3A01ZTA
品牌:DIODES
供货:锐单
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