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起订量:3000
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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.8908 | ¥2672.40 |
6000 | ¥0.833301 | ¥4999.81 |
15000 | ¥0.775859 | ¥11637.89 |
30000 | ¥0.735628 | ¥22068.84 |
75000 | ¥0.727954 | ¥54596.55 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H / U-MOSVI
商标 Toshiba
产品 MOSFETs
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 108 mOhms, 157 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV, 500 mV
栅极电荷 3.6 nC, 6.74 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 -
正向跨导(Min) 12 S, 9.5 S
上升时间 -
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns, 54 ns
典型接通延迟时间 25 ns, 21 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Silicon P-/N-Channel MOS
单位重量 8.500 mg
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0SSM6L61NU,LF
型号:SSM6L61NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.8908 |
6000+: | ¥0.833301 |
15000+: | ¥0.775859 |
30000+: | ¥0.735628 |
75000+: | ¥0.727954 |
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