
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.478638 | ¥18.48 |
| 10 | ¥16.566163 | ¥165.66 |
| 100 | ¥12.918249 | ¥1291.82 |
| 500 | ¥10.671351 | ¥5335.68 |
| 1000 | ¥9.360788 | ¥9360.79 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 1.05 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8.5 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR825TRPBF SP001557136
单位重量 330 mg
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0IRFR825TRPBF
型号:IRFR825TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.478638 |
| 10+: | ¥16.566163 |
| 100+: | ¥12.918249 |
| 500+: | ¥10.671351 |
| 1000+: | ¥9.360788 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.48