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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 7.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0CPH3461-TL-W
型号:CPH3461-TL-W
品牌:ON
供货:锐单
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