货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.211495 | ¥6.21 |
10 | ¥5.272869 | ¥52.73 |
100 | ¥3.936708 | ¥393.67 |
500 | ¥3.093049 | ¥1546.52 |
1000 | ¥2.389907 | ¥2389.91 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H / U-MOSVI
商标 Toshiba
产品 MOSFETs
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 108 mOhms, 157 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV, 500 mV
栅极电荷 3.6 nC, 6.74 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 -
正向跨导(Min) 12 S, 9.5 S
上升时间 -
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns, 54 ns
典型接通延迟时间 25 ns, 21 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Silicon P-/N-Channel MOS
单位重量 8.500 mg
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0SSM6L61NU,LF
型号:SSM6L61NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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1+: | ¥6.211495 |
10+: | ¥5.272869 |
100+: | ¥3.936708 |
500+: | ¥3.093049 |
1000+: | ¥2.389907 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.21