FDD8424H
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.085932 | ￥19.09 |
| 10 | ￥17.067492 | ￥170.67 |
| 100 | ￥13.306602 | ￥1330.66 |
| 500 | ￥10.992399 | ￥5496.20 |
| 1000 | ￥8.678195 | ￥8678.19 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 20 nC, 24 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 3 ns
正向跨导（Min） 29 S
上升时间 13 ns, 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
FDD8424H 同类别型号
注
FDD8424H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDD8424H
数据手册PDF。
FDD8424H
型号：FDD8424H
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.085932 |
| 10+： | ￥17.067492 |
| 100+： | ￥13.306602 |
| 500+： | ￥10.992399 |
| 1000+： | ￥8.678195 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.09