FDC8602
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.585014 | ￥18.59 |
| 10 | ￥16.655488 | ￥166.55 |
| 100 | ￥12.987019 | ￥1298.70 |
| 500 | ￥10.728407 | ￥5364.20 |
| 1000 | ￥8.469796 | ￥8469.80 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.2 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 690 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
FDC8602 同类别型号
注
FDC8602品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
FDC8602
型号：FDC8602
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.585014 |
| 10+： | ￥16.655488 |
| 100+： | ￥12.987019 |
| 500+： | ￥10.728407 |
| 1000+： | ￥8.469796 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.59