货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.519453 | ¥17.52 |
10 | ¥15.718842 | ¥157.19 |
100 | ¥12.635557 | ¥1263.56 |
500 | ¥10.381528 | ¥5190.76 |
1000 | ¥8.601773 | ¥8601.77 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 195 A
漏源电阻 2.67 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 205 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 206 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP030N06B_F102
单位重量 2 g
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0FDP030N06B-F102
型号:FDP030N06B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.519453 |
10+: | ¥15.718842 |
100+: | ¥12.635557 |
500+: | ¥10.381528 |
1000+: | ¥8.601773 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.52