商品描述
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
20.5mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1075pF @ 15V
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)