IPD60N10S4L12ATMA1
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- 制造商编号：
- IPD60N10S4L12ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：38940
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 9.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60N10S4L-12 SP000866550
单位重量 330 mg
IPD60N10S4L12ATMA1 同类别型号
注
IPD60N10S4L12ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD60N10S4L12ATMA1
数据手册PDF
。
IPD60N10S4L12ATMA1
型号：IPD60N10S4L12ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：38940 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00