货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥69.715449 | ¥69.72 |
10 | ¥63.005255 | ¥630.05 |
100 | ¥52.160485 | ¥5216.05 |
500 | ¥45.420367 | ¥22710.18 |
1000 | ¥39.959301 | ¥39959.30 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 29 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH30N60P
型号:IXFH30N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥69.715449 |
10+: | ¥63.005255 |
100+: | ¥52.160485 |
500+: | ¥45.420367 |
1000+: | ¥39.959301 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥69.72