货期: 8周-10周
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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30 | ¥113.988365 | ¥3419.65 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 86 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 54 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 18 ns
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 5.1 mm
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Trench HiperFET Power MOSFET
单位重量 4.500 g
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0IXFT86N30T
型号:IXFT86N30T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
30+: | ¥113.988365 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00