货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 870 mA, 640 mA
漏源电阻 400 mOhms, 700 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV, 1 V
栅极电荷 736.6 pC, 622.4 pC
耗散功率 530 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
购物车
0DMG1016VQ-7
型号:DMG1016VQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00