货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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50 | ¥8.341762 | ¥417.09 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 52 ns
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0DMG8N65SCT
型号:DMG8N65SCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
50+: | ¥8.341762 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00